存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
GPU 卡时供给 + 客户结构(大客户长协 vs 散单波动)
一线城市电力指标 + 高功率机柜储备 + 头部大客户长协
AI PC/AI手机渗透带动终端存储容量升级 + “模组+封测”一体化布局强化产业链地位
存储介质技术升级带来市场扩容 + 主控芯片自研构建核心竞争力
存储市场规模持续增长,国产化需求迫切 + 自研芯片能力构建,向技术型平台公司升级
全球独立 SSD 主控龙头(除 Marvell 外少数有平台化潜力的 Fabless),深度绑定长江存储等国产 NAND 厂
2026年第一季度,DRAM混合平均售价环比上涨93%~98%,NAND环比上涨85%~90%,合约价涨幅创周期新高。第二季度DRAM合约价环比涨幅预计达58%~75%,随后逐季收敛,至26Q4持平或微涨。现货市场部分产品近期回调10%-20%,但合约价占比约90%主导定价。本轮上涨源于25Q3起CSP厂商与存储原厂签订长协,需求超供给,推动合约价持续上行,预计全年上涨,2027年维持高位。
影响:利好 长约锁定+AI推理需求爆发驱动供需缺口 → 合约价持续上涨 → 现货与合约价差拉大 → 模组厂成本优势分化 → 长协客户锁定低价、现货客户承压 → 模组厂盈利分化加剧。直接受益:江波龙-301308(存储模组龙头,长协锁定低价库存,毛利率弹性显著);佰维存储-688525(嵌入式存储与模组,受益于涨价周期营收扩张);德明利-001309(闪存主控与模组一体化,涨价周期盈利弹性大);联芸科技-688449(存储主控芯片,出货量随模组拉货增长)。A股映射建议:关注具备低价库存和长协能力的模组厂商,在合约价全年上涨背景下盈利确定性强。需警惕下半年终端消费电子成本压力导致需求疲软的风险。
消费电子终端因存储涨价成本承压,26年手机出货量预期同比下滑12.9%,关注消费级存储涨价对换机需求的压制。建议联动L3-04-IDC运营商和L3-02-AI算力租赁行业,观察需求端变化。