存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能；DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座，国产DRAM与NAND份额仍低
2026-05-16 中泰证券 H200推理吞吐翻倍，以存代算成AI降本核心路径
事件描述
2026年5月16日，中泰证券发布研报指出，NVIDIA H200 GPU仅通过升级HBM容量与带宽（容量+76%，带宽+43%），在同等算力下推理吞吐量较H100提升约2倍（从60 tokens/s提升至120+ tokens/s），延迟降低50%，每token成本降低68%。这是因为大模型推理的Decode阶段是memory-bound，95%的Prompt占比意味着能耗主要花在数据搬运。因此，“以存代算”成为AI推理降本的核心路径，推动HBM、DRAM、NAND等存储全面需求升级，以及HBM4、CXL内存池化、分级存储等创新。
关键数字
- H200推理吞吐量提升约2倍（60→120+ tokens/s），延迟降低50%，每token成本降低68%
- Decode阶段GPU算力利用率极低，95% Prompt占比
- HBM4带宽超2TB/s（较HBM3E提升67%），HBF单堆叠容量高达512GB（较HBM提升10倍以上）
影响判断
影响：利好 AI推理memory-bound瓶颈 → “以存代算”路径确认 → HBM/DRAM/NAND需求全面升级 → 高带宽存储与分级存储架构加速渗透 → HBM扩产 + SSD/DRAM配置放量。直接受益：澜起科技（688008，内存接口芯片）、中微公司（688012，刻蚀设备）、华海清科（688120，CMP设备）等。A股映射建议：关注HBM产业链设备与材料、存储模组及CXL互连相关标的。未入KB待评估：微导纳米、精智达。
信息源
- 【中泰电子】存储：AI推理带来需求爆发、驱动范式升级，周期能见度大幅拉长
备注
“以存代算”趋势下HBM、高带宽DRAM、NVMe SSD及CXL等配套产业链受益明确，关注2027年HBF与HBM4E量产进展及存储范式升级带来的设备/材料新增量。未入KB公司微导纳米、精智达建议补入。