2026-05-23 TrendForce / 多家券商 存储合约价涨幅创新高：26Q1 DRAM合约价涨93-98%/NAND涨85-90%，Q2预计延续强势，结构性短缺或贯穿至2027年

事件描述

HBM吸收大量晶圆产能，挤压DDR4/DDR5/车规DRAM供应，结构性短缺预计贯穿2026-2027年。CSP加速签署长期协议(LTA)锁定产能，原厂新增有效供给要到2028年前后。南亚科技预计稀缺延续到2027年，SK海力士暗示可能延续到本十年末。美光HBM4E预计CY27上量，首个基于1-gamma的HBM。

关键数字

• 26Q1 通用 DRAM 合约价涨 93-98%、NAND 合约价涨 85-90%
• 预计 26Q2 DRAM 合约价再涨 58-63%、NAND 涨 70-75%
• 2026 年 4 月韩国存储出口额 269.7 亿美元、同比 +278%；DRAM 出口 153.9 亿美元、同比 +342.7%
• DDR3 4Gb 现货价 2026 年以来涨 127.2%（较 2025 年 2 月低点涨 10.9 倍）；5 月中 MLC NAND 现货价环比 +14-23%
• （并入研报#6）2026Q1 全球前五大 NAND Flash 厂商总营收环比 +83.7%；SanDisk 数据中心业务营收季增 200%+ 至 59.5 亿美元

影响判断

影响：利好 存储价格持续大涨→DRAM/NAND原厂盈利大幅改善→下游终端(手机/PC)面临成本压力→AI服务器存储成本占比上升，但需求刚性→存储板块估值从周期切换为确定性溢价

关联

• 行业：L2-07-存储HBM与DDR5与NAND
• 公司：

信息源

• 2026年5月海外存储行业月度跟踪（券商研报）；韩国存储出口数据

备注

需关注消费终端需求下修风险是否加剧（手机出货因存储涨价预计26Q2同比-10%）；三星劳资谈判进展需跟踪