存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
AI推理驱动存储需求结构性增长 + 存储市场寡头格局与合并效益
存储技术代际领先构筑长期壁垒 + 半导体制造(Foundry)业务寻求突破
美光5月27日公告将于 6 月 24 日发布 Q3 FY26 财报,公司指引 Q3 营收 335 亿美元±7.5 亿(创历史纪录),毛利率约 81%,非 GAAP EPS 19.15 美元±0.40 美元。2026 年 HBM 产能已基本售罄;HBM4 已为 NVIDIA Vera Rubin 量产,HBM4E 2027 放量。
影响:利好 全球 HBM 三强之一指引创纪录→印证 HBM/DDR5 量价齐升+AI 数据中心需求持续超预期→直接强化 A 股存储板块景气度共识,北上资金有望加配
6/24 实际财报数为下个窗口的核心硬催化,本期已锁定指引超预期