半导体小金属
本细分核心瓶颈在于半导体级高纯钨钽锗粉体/靶材认证周期 18-36 个月 + 资源出口管制催化价格波动, 国产化卡在 5N-6N 纯度与纳米级粒径稳定量产
本细分核心瓶颈在于半导体级高纯钨钽锗粉体/靶材认证周期 18-36 个月 + 资源出口管制催化价格波动, 国产化卡在 5N-6N 纯度与纳米级粒径稳定量产
AI算力需求奠定长期增长基石 + 光芯片国产替代核心受益标的
国内唯一批量产 EML 激光器芯片企业, InP 外延+芯片设计一体化, 光模块 L3 缺位最关键补充
云南锗业5月27日公告称, 光通信市场需求改善带动磷化铟晶片需求快速增长, 价格近期已现上涨。控股子公司鑫耀半导体(华为哈勃持股23.91%)是国内唯一6寸InP量产主体, 良率70%-75%; 4月已宣布投资1.89亿扩产, 产能从15万片/年提升至45万片/年(4寸当量)
影响:利好 光通信1.6T升级→磷化铟衬底需求爆发→6寸InP国产唯一量产→云南锗业鑫耀订单与单价共振→Q2-Q3业绩弹性
用户已自行确认涨价但不保证持续性, 仍属一级源公告类硬信号