存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
存储 IO 瓶颈匹配 GPU + 介质升级(QLC NAND/CXL)+ 软件栈
DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升
存储市场规模持续增长,国产化需求迫切 + 自研芯片能力构建,向技术型平台公司升级
CXL内存扩展控制器打开巨大市场空间 + 从芯片供应商向平台解决方案商转型
毛利率69.8%同比+9.3pct,DDR5新子代RCD芯片及互连类芯片新品占比提高;CXL MXC芯片卡位AI基础设施内存池化赛道
影响:利好 DDR5渗透率提升+AI服务器内存互连需求→RCD/CXL新品放量→毛利率大幅提升→内存互连龙头价值重估
CXL内存池化为AI推理场景KV缓存的关键技术路径