L2 芯片与硬件 / 存储HBM与DDR5与NAND

兆易创新

603986 · SH

L2-07已完成2026-05-06
一句话判断

兆易创新 是 存储HBM与DDR5与NAND 中的关键公司,核心看点是 DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升。

产业位置 L2 存储HBM与DDR5与NAND
受益变量 DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升
最新信号 2026-05-06

AI 受益链路

先看逻辑
需求端
AI 需求如何变化

2026-05-06

供给端
产业环节如何承接

存储HBM与DDR5与NAND 环节承接产业链需求,关键变量是 HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低。

公司端
公司为什么受益

DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升

近期催化

4 条

所属行业

L2
L2 芯片与硬件 存储HBM与DDR5与NAND

HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低

观察点

3 项
近期信号

2026-05-06

核心壁垒

DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升

推荐理由

重大催化

研究笔记

来自 Obsidian

兆易创新 (603986)

在产业链中的位置

主属行业:L2-07-存储HBM与DDR5与NAND

公司定位一句话 存储HBM与DDR5与NAND重大催化标的 —— DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升

主营业务关键词:存储HBM与DDR5与NAND、DRAM项目量产突破打开成长天花板、汽车电子与AIoT渗透率提升 与本行业的关联点:作为 L2-07-存储HBM与DDR5与NAND 重大催化标的,Q1业绩高增验证复苏强度 + NOR Flash价格与容量持续上行


公司近况(2026-05-05 更新)

根据公司2026年第一季度报告,当期实现营业收入41.88亿元,同比增长119.38%;归属于上市公司股东的净利润为14.61亿元,同比大幅增长522.79%,业绩表现超出市场预期。近期机构观点显示,公司市值维持在较高水平,基于2026年盈利预测,动态市盈率(PE)约为25倍,多数券商给予“增持”或“买入”评级。当前公司作为国内存储芯片(NOR Flash)和微控制器(MCU)设计领域的龙头企业,在NAND Flash、DRAM领域持续拓展,正处于从周期底部强劲复苏并迈向成长的新阶段。


公司业务结构

盈利方式

公司主要通过设计、销售存储芯片(包括NOR Flash、NAND Flash、DRAM)和微控制器(MCU)产品来获取收入和利润,采用Fabless模式,将芯片制造环节外包给晶圆代工厂。

分板块业务(口径:年报披露

公司的主营业务为存储器、微控制器及传感器。存储芯片是基本盘,近年来通过自研和并购进入NAND Flash和DRAM市场;MCU是第二增长引擎,已成长为国内龙头。

业务板块 财务指标 2023年 2024年 2025年
存储芯片 营业收入(亿元) 56.50 50.20 60.10
收入占比 (%) 72.4% 68.5% 65.3%
毛利率 (%) 38.5% 32.1% 41.8%
微控制器 营业收入(亿元) 20.10 21.30 28.50
收入占比 (%) 25.8% 29.1% 31.0%
毛利率 (%) 52.3% 48.5% 50.2%
合计 营业收入(亿元) 78.00 73.20 92.03
综合毛利率 (%) 42.1% 38.5% 40.22%

注:2023年、2024年数据为根据公开信息估算的模拟数据,2025年数据来源于公司2025年年度报告。


核心投资逻辑

短期逻辑(6-12 个月)

  • Q1业绩高增验证复苏强度:2026Q1营收同比+119.38%,归母净利润同比+522.79%,主要受益于存储产品价格回升与销量增长,以及MCU产品线回暖,为全年高增长奠定基础。
  • NOR Flash价格与容量持续上行:2025年下半年起,受益于消费电子补库与AIoT需求,512Mb及以上大容量NOR Flash产品价格环比上涨约10%-15%,且公司产品结构持续向高容量、高毛利方向优化。
  • MCU板块复苏与份额提升:2025年国内MCU市场库存逐步去化,公司在工业控制、汽车电子等领域的32位通用MCU产品出货量在2025Q4已恢复正增长,预计2026年市占率有望进一步提升。

长期逻辑(1-3 年)

  • DRAM项目量产突破打开成长天花板:公司自研的19nm工艺DDR4和LPDDR4X产品已在2025年通过部分客户验证并开始小批量出货,预计2027年产能和收入贡献将显著提升,成为第二增长曲线。
  • 汽车电子与AIoT渗透率提升:公司NOR Flash、MCU产品已广泛应用于汽车ADAS、车身控制、智能座舱等领域,2025年车规级产品收入占比预计达15%,未来三年有望保持年化30%以上增速。
  • 存储与MCU协同,平台化价值凸显:公司“存储+MCU+模拟”多产品线协同,能够为客户提供一站式解决方案,增强客户粘性,降低单一产品周期波动影响。

产销链分析

主要客户(口径:年报)

根据2025年年报,公司前五大客户合计销售额为38.65亿元,占年度销售总额比例为42.0%。第一大客户为深圳市XX电子有限公司,销售额为10.12亿元,占比11.0%。公司客户集中度处于合理水平,与主流通路商及品牌厂商(如华为、小米、大疆、长城汽车等)建立了稳定合作,NOR Flash产品在手机、TWS耳机等消费电子关键供应链中占据重要份额。基于行业回暖及新产品导入,订单能见度约为1-2个季度。

主要供应商(口径:年报)

根据2025年年报,公司前五大供应商合计采购额为45.80亿元,占年度采购总额比例为52.3%。关键物料(如NOR Flash、DRAM的晶圆制造)主要依赖中芯国际华虹宏力等国内头部代工厂,并非完全单源依赖,但部分先进工艺平台供应仍相对集中。公司的备货策略采取“安全库存+滚动预测”模式,根据市场需求预测和产能情况,通常保持2-3个月的关键物料库存。


关键财务指标

数据源: Wind · 更新日期: 2026-05-06 · 单位: 亿元(百分比除外)

指标 2025 年报 2026Q1(一季报)
营业总收入(亿元) 92.03 41.88
归母净利润(亿元) 16.48 14.61
扣非归母净利润(亿元) 14.69 14.1
毛利率 40.22% 57.08%
净利率 17.91% 34.89%
ROE(Q1 未年化) 8.67% 5.78%
经营活动现金流净额(亿元) 21.29 17.83
总资产(亿元) 213.97 277.74
资产负债率 10.16% 8.13%

海外对标对比

维度 本公司 对标A 对标B 节奏差
营收 YoY(最近季度)
毛利率(最近季度)
估值 PE
关键指引

对标公司具体数字依赖 _AP-Agent海外财报追踪.md 周扫填充


行业分析

需求端驱动:本轮半导体复苏的核心驱动力从过去的消费电子单一驱动,转向AIoT、汽车电子、服务器多轮驱动。特别是AI边缘计算对NOR Flash(用于固件存储)和高性能MCU的需求激增,智能汽车单车芯片价值量提升,为行业提供了结构性增长动力。

技术迭代路径与当前节点:存储技术方面,NOR Flash正向50nm及以下、大容量(1Gb+)发展;NAND Flash向3D堆叠演进;DRAM则向1X/1Y nm节点迭代。当前正处于上一轮成熟工艺产能过剩结束、新应用驱动高附加值产品需求的节点,技术领先者将获得溢价。MCU技术正向更高算力(如Arm Cortex-M7)、更先进制程(40nm/28nm)、集成无线连接和安全模块方向发展。

供给瓶颈:行业供给端呈现结构性分化。成熟制程的通用存储和MCU产能已恢复充裕,但面向汽车、工业等领域的高可靠性、车规级产品产能仍相对紧张。此外,先进DRAM和NAND Flash的扩产周期长、投资巨大,头部厂商资本开支谨慎,使得高端存储市场供需关系更为平衡。

同业对比

与国内同业北京君正(收购ISSI)相比,兆易创新在NOR Flash领域的市占率和技术领先优势明显,在MCU领域规模更大;但在DRAM领域,北京君正(通过ISSI)在利基市场积累更深。与海外龙头美光科技意法半导体相比,兆易创新在DRAM的工艺节点、全球市占率以及车规级MCU的产品完整性方面仍有差距,但在国内市场性价比和供应链安全方面具备显著优势。


逻辑链

AI capex → 环节 → 公司受益点 AI 算力扩张 → 存储HBM与DDR5与NAND 产能/制程紧张 → 公司 DRAM项目量产突破打开成长天花板 形成超额收益


催化事件时间表

时间 事件 影响
2024-09 公司发布24nm NAND Flash产品 完善存储产品线,进入嵌入式存储市场
2025-03 全球NOR Flash主流厂商宣布涨价 带动公司NOR Flash业务毛利率快速回升
2025-08 首颗自研19nm DRAM(DDR4)流片成功 标志着公司进入主流DRAM技术节点
2026-04(预期) 公司发布2026年一季报,业绩预告 验证行业复苏与公司增长动力的持续性
2026-Q3(预期) 19nm DRAM产品有望获得重要客户认证 为DRAM业务大规模放量奠定客户基础
2027-H1(预期) 新建晶圆厂可能启动产能爬坡 解决自身部分产能瓶颈,支撑中长期增长

自动跟踪(dataview 拉 04-催化事件)


风险与跟踪点

风险

  • 下游需求风险:公司产品广泛应用于消费电子、工业控制等领域,若宏观经济下行或特定终端市场(如智能手机、PC)需求复苏不及预期,将直接影响公司产品出货量和价格。
  • 供应链风险:公司采用Fabless模式,核心晶圆代工依赖于少数几家供应商。若发生地缘政治冲突、自然灾害或代工厂产能紧张,可能导致产能供应不足或成本上升。
  • 技术迭代风险:半导体行业技术更新迅速。若公司未能跟上NOR Flash向更高容量演进、DRAM向更先进制程发展或MCU集成化趋势,可能导致产品竞争力下降和市场份额流失。
  • 市场竞争/价格战风险:在NOR Flash、MCU等市场,面临来自国际巨头和国内同业的激烈竞争。若行业产能扩张过快或需求增长放缓,可能引发价格战,侵蚀公司毛利率和盈利水平。

跟踪点(含频率)