TrendForce集邦咨询

2026-05-02
行业数据 L1-03-新能源供电L1-04-变压器L2-01-EDA与芯片IP 兆易创新-603986江波龙-301308300667普冉半导体-688766东芯股份-688110
利好

影响行业

3 个

新能源供电

光伏风电提供低成本绿电但存在间歇性,AI数据中心采购取决于储能配套、并网消纳和光伏产能出清

部分填充 L1 2026-05-02

变压器

AI数据中心高功率机柜推动配电升级,变压器受铜价、交付周期、直流供电标准和海外电网投资共同约束

部分填充 L1 2026-05-08

EDA与芯片IP

先进制程EDA工具(7nm以下)及高端处理器IP严重依赖Synopsys/Cadence/ARM,出口管制直接影响国内芯片设计能力

部分填充 L2 2026-05-02

相关公司

4 家

东芯股份 688110

DRAM产品线突破打开第二增长曲线 + 2028年,DRAM产品线营收占比有望从当前较低水平提升至20%-30%

L2-07 已完成 2026-05-02

兆易创新 603986

DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升

L2-07 已完成 2026-05-06

普冉半导体 688766

存储+MCU协同布局,切入汽车电子等高成长赛道 + 受益于AIoT与工业智能化,产品需求结构性升级

L2-07 已完成 2026-05-02

江波龙 301308

存储市场规模持续增长,国产化需求迫切 + 自研芯片能力构建,向技术型平台公司升级

L2-07 已完成 2026-05-02

2026-05-02 TrendForce集邦咨询 — TrendForce — DRAM合约价Q1环比涨约90%创纪录,HBM价格翻2-3倍,全品类存储创历史新高

事件描述

TrendForce数据显示,2025Q4至2026Q1全球DRAM合约价连续两季涨40%以上,Q1单季涨幅达90%创历史。AI服务器吃掉约66%总产能,存储从周期品转向结构性短缺。Q2涨价预期仍强,HBM/DRAM/NAND全品类创历史新高。

关键数字

  • 服务器DRAM合约价2026Q1环比大涨约90%,创纪录上升
  • HBM高带宽内存价格翻2-3倍;NAND合约价环比涨80%-90%
  • Q2 DRAM预计再涨70%-75%

影响判断

影响:利好 存储价格暴涨→存储厂商盈利弹性释放→模组厂/利基存储厂商跟涨受益→AI服务器BOM成本上升

关联

  • 行业:L1-03-新能源供电, L1-04-变压器, L2-01-EDA与芯片IP
  • 公司:兆易创新-603986, 江波龙-301308, 300667, 普冉半导体-688766, 东芯股份-688110

信息源

  • TrendForce集邦咨询 2026年Q1存储价格追踪

备注

与三星财报数据交叉验证,高度一致