2026-05-06 TrendForce / 三星电子 / IDC / 花旗 TrendForce/三星财报共振验证HBM与DRAM价格进入高景气极值区

事件描述

存储景气已从“复苏”进入“供给受限型繁荣”，HBM、DRAM、SoCAMM共同驱动，价格与利润同向大幅抬升，且延续到下半年的一致预期正在增强

关键数字

• 2026Q1 DRAM合约价环比上涨90%-95%，NAND Flash环比上涨55%-60%
• 三星2026Q1半导体业务营业利润53.7万亿韩元，同比+4782%，HBM收入同比增长超3倍
• 花旗预计2026Q4 HBM价格环比再涨30%，DRAM综合ASP环比增长11%；IDC预计2026年DRAM收入增长177%至4186亿美元

影响判断

影响：利好 HBM/DRAM涨价→存储厂盈利释放→先进封装/设备/材料扩产增强，同时AI服务器BOM继续抬升

关联

• 行业：L2-07-存储HBM与DDR5与NAND, L2-02-半导体设备与材料
• 公司：美光-MU, 澜起科技-688008, 兆易创新-603986

信息源

• 爱建证券《HBM迭代筑牢Samsung AI芯片壁垒》及相关行业跟踪

备注

存储模组价格3月后部分持平或回落，说明上游原厂与模组环节景气并不同步，需区分链条位置

图1：DDR5 16Gb现货价格自2025年9月约5美元/颗快速升至2026年5月约36-40美元/颗，高位震荡，直观验证内存涨价斜率已明显陡峭化