Key Highlights

全球半导体设备+材料市场2025年预计达7,009亿美元，2026年增至7,607亿美元（+9%）；中国半导体材料市场2024年规模134.6亿美元

国产化率低是核心矛盾：设备整体13.6%，材料整体10–15%；2030年目标30%以上；大基金三期超3,000亿元重点支持

中微公司收购杭州众硅（CMP设备）64.69%股权，是国产设备龙头向平台化整合的标志性动作；北方华创市值3,795亿元，唯一国内设备平台型企业

行业定义与边界

设备端：贯穿晶圆制造全流程的核心工艺设备，包括：光刻设备（决定最小特征尺寸，EUV是7nm以下必备）、刻蚀设备（先进制程刻蚀步骤超1,000次）、薄膜沉积设备（CVD/PVD/ALD）、CMP抛光设备、清洗设备、检测测量设备。

材料端：制造过程中消耗的关键耗材，包括：电子特种气体（纯度要求≥7N）、CMP抛光液与抛光垫、光刻胶及配套材料（ArF/EUV）、溅射靶材（PVD工艺）、湿电子化学品、半导体硅片。

市场规模与增长

全球设备+材料：2025年7,009亿美元，2026年7,607亿美元（+9%），设备约占60%，材料约占40%
中国材料市场：2024年134.6亿美元，同比+2.85%；2026年中国晶圆厂WFE支出预计同比+5%
电子特种气体（中国）：2025年约316.6亿元人民币，2016–2025年CAGR 14.2%
CMP抛光液（全球）：2026年25.3亿美元，中国占比>30%
驱动因素：AI芯片需求推动台积电/三星3nm及以下先进制程扩产 → 设备材料高端化需求；国产替代政策 → 本土供应商验证+量产机会

技术演进路线

技术路线

阶段 01

上游沪硅产业688126 300mm硅片国内市占>30%

阶段 02

中游北方华创002371 刻蚀/PVD/CVD 2025订单破200亿

阶段 03

下游中芯国际688981 28nm+逻辑代工

阶段 04

上游南大光电300346 ArF光刻胶通过长存验证国产化率<5%

阶段 05

中游中微公司688012 CCP刻蚀进入台积电5nm供应链

阶段 06

下游台积电5nm逻辑量产

阶段 07

上游 JSR EUV光刻胶全球份额约40%

阶段 08

中游安集科技688019 抛光液 / 华海清科688120 CMP 先进封装关键

阶段 09

下游长电科技600584 先进封装量产

原始图谱

flowchart LR
  subgraph 成熟制程
    A[上游 沪硅产业688126 300mm硅片 国内市占>30%] --> B[中游 北方华创002371 刻蚀/PVD/CVD 2025订单破200亿]
    B --> C[下游 中芯国际688981 28nm+逻辑代工]
  end
  subgraph 先进制程
    D[上游 南大光电300346 ArF光刻胶 通过长存验证 国产化率<5%] --> E[中游 中微公司688012 CCP刻蚀 进入台积电5nm供应链]
    E --> F[下游 台积电5nm逻辑量产]
  end
  subgraph 前沿与封装
    G[上游 JSR EUV光刻胶 全球份额约40%] --> H[中游 安集科技688019 抛光液 / 华海清科688120 CMP 先进封装关键]
    H --> I[下游 长电科技600584 先进封装量产]
  end
  C --> D
  F --> G

技术演进呈现三阶梯：成熟制程（28nm+）、先进制程（14-7nm）、前沿制程（5-3nm）+先进封装。每个阶段均有龙头厂商和关键材料推进。

成熟制程阶段：沪硅产业-688126（688126.SH）是国内300mm大硅片绝对主力，2025年12英寸硅片国内市占超30%，服务中芯国际、华虹等主力晶圆厂。北方华创（002371.SZ）在28nm节点实现刻蚀、PVD、CVD设备批量交付，2025年新签订单突破200亿元（+55% YoY），是国产替代的旗帜。

先进制程突破：中微公司（688012.SH）CCP刻蚀机已进入台积电5nm逻辑芯片供应链，2026年初又通过收购杭州众硅64.69%股权补齐CMP设备，形成刻蚀+CMP双平台，最新催化为2026年5月30日资产过户完成，标志国产设备向平台化整合。光子学材料端，南大光电-300346（300346.SZ）的193nm ArF光刻胶于2025年底通过长江存储验证，打破东京应化、JSR垄断，但目前国产化率仍低于5%。

前沿与封装：EUV光刻胶全球仍由日本JSR（市占率约40%）和信越化学主导，国内华特气体-688268（688268.SH）的高纯氟基气体已进入台积电3nm验证。先进封装成为新战场，安集科技-688019（688019.SH）铜及阻挡层抛光液在TSV工艺中放量，全球市占率从3%升至7%，受益于HBM/CoWoS强劲需求。

整体路线：从国产设备规模落地（28nm）→ 先进刻蚀与光刻胶突破（14-7nm）→ EUV配套和先进封装布局（5-3nm及HBM），每一步均在填补国产化率从不到15%到2030年超30%的差距。

产业价值链结构

价值链

上游 EDA工具

华大九天 301269

中游 半导体材料

沪硅产业 688126 · 华特气体 688268

下游 半导体设备

北方华创 002371 · 中微公司 688012

下游 芯片设计

韦尔股份 603501 · 兆易创新 603986

下游 晶圆制造

中芯国际 688981 · 华虹半导体 688347

下游 封装测试

长电科技 600584 · 通富微电 002156

终端 终端应用

AI服务器/中科曙光 603019 · 手机/小米 01810

原始图谱

flowchart LR
    subgraph 材料端
        A1[EDA工具
        华大九天 301269]
        A2[半导体材料
        沪硅产业 688126
        华特气体 688268
        江化微 603078]
        A3[半导体设备
        北方华创 002371
        中微公司 688012]
    end
    D[芯片设计
    韦尔股份 603501
    兆易创新 603986] --> C[晶圆制造
    中芯国际 688981
    华虹半导体 688347]
    A1 --> D
    A2 --> C
    A3 --> C
    C --> E[封装测试
    长电科技 600584
    通富微电 002156]
    E --> F[终端应用
    AI服务器/中科曙光 603019
    手机/小米 01810
    汽车/比亚迪 002594]

半导体产业链以上游材料、设备与 EDA 工具为支撑根基，向下贯穿芯片设计 → 晶圆制造 → 封装测试三大中游核心环节，最终流向 AI 服务器、智能手机、汽车等终端应用。从价值分布看，光刻、刻蚀、薄膜沉积及超高纯材料等环节高度集中于海外巨头，国内整体设备国产化率仅约 13.6%、材料国产化率约 10–15%，是当前产业链最突出的“卡脖子”地带。图中代表性公司覆盖了国产替代的关键支点：EDA 工具（华大九天 301269）直供芯片设计（韦尔股份 603501、兆易创新 603986），而上游半导体材料与半导体设备直接输入晶圆制造（中芯国际 688981、华虹半导体 688347）——这恰恰是价值量最大、对外依存度最高的环节。

在国产替代进程中，设备和材料龙头正加速平台化整合与突围。北方华创（002371）作为目前国内唯一的设备平台型企业，市值已达 3,795 亿元，覆盖刻蚀、薄膜、清洗等多道工艺；**中

重点公司

本土龙头

北方华创（002371.SZ） — 国内唯一平台型半导体设备企业，市值3,795亿元；产品覆盖刻蚀、PVD、CVD、氧化扩散、清洗；28nm已规模化，14nm验证突破；2026年机构预测新签订单有望突破200亿元
中微公司（688012.SH） — 国内刻蚀设备龙头，CCP/ICP刻蚀；5nm工艺节点部分应用进入台积电供应链；2026年1月披露收购杭州众硅64.69%股权（CMP设备），形成"刻蚀+CMP"双轮驱动
盛美上海（688082.SH） — 清洗设备龙头，首创SAPS技术；产品已进入台积电、三星验证；向先进封装清洗拓展
华海清科（688120.SH） — CMP抛光设备龙头，打破应用材料垄断；12英寸设备在中芯国际、长江存储批量应用
华特气体（688268.SH） — 特种气体龙头，产品线超230种；已进入台积电/中芯国际供应链；部分品种纯度达7N
安集科技（688019.SH） — CMP抛光液龙头，全球市占率从3%提升至7%；国内市占率超20%；已在14nm以下节点进行客户验证

海外对标

ASML（荷兰） — 全球唯一EUV光刻机供应商，2023年收入298.3亿美元，超越应用材料成为全球最大设备商；High-NA EUV单台>3亿美元，支撑1nm以下工艺
Applied Materials（美国） — 全球半导体设备"超市"，2023年收入265.2亿美元；PVD>80%市占、CVD>50%、CMP设备>40%
Tokyo Electron（日本） — 涂胶显影设备全球90%市占，与ASML光刻机深度配套
Lam Research（美国） — 刻蚀设备全球>50%市占，深硅刻蚀/TSV刻蚀在先进封装中地位关键
KLA（美国） — 检测测量设备全球>50%市占，3nm节点良率从60%提升至90%以上的关键工具

未升格公司清单

留作行业全景参考，未单独建 note。出现重大催化时考虑升格。

上海微电子SMEE（未上市，国内光刻机龙头，28nm节点）

Dashboard 已剔但产业链有效环节

本节说明 以下标的因交易维度 (PEG / 流动性 / 业绩兑现等) 在 stock-trading-dashboard 被 dropped, 但业务实质处于本细分 AI 产业链有效环节, 在此记录作为行业覆盖参考。各标的尚未单独建公司一页纸笔记, 未来按需补充 (见 00-总览/待办清单-反灌补全工作.md)。

斯达半导（603290） [A 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体 (功率器件) 环节, 国内 IGBT 模块出货 #1, 同时布局 SiC MOSFET, 是 AIDC 800V HVDC 高压直流供电架构的核心功率芯片国产化标的, 与士兰微-600460 / 时代电气-688187 同属 IGBT/SiC 第一梯队。
- 业务介绍：公司主业为 IGBT 模块设计与制造, 服务新能源车+光伏+工控, 2024-2025 年深度切入 AIDC 800V HVDC 供电链路 (整流+DC/DC 转换), SiC MOSFET 也在车规与高压数据中心同步放量, 是 ICVP HVDC L3 功率半导体的关键国产替代标的。
有研新材（600206） [A 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体材料 (高纯靶材+化合物半导体衬底) 环节, 央企 (有研集团旗下), 高纯铟+砷化镓单晶+磷化铟潜在标的, 是国内化合物半导体衬底材料代表, 配套光模块/高速光通信芯片。
- 业务介绍：公司主业为高纯有色金属材料 (靶材/铟/锗) + 化合物半导体单晶 (砷化镓/磷化铟), 央企背景在稀贵金属+化合物半导体衬底领域具备资源+技术双重壁垒, 是 ICVP 光模块 L2 衬底材料的关键补充, 服务 800G/1.6T 光模块 InP 激光器需求。
强力新材（300429） [B 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体材料 (光刻胶引发剂+先进封装材料) 环节, 干膜光刻胶引发剂 HABI 全球 #1, 客户含长兴/旭化成/住友化学, 同时布局 PSPI 先进封装材料, 与飞凯材料-300398 / 彤程新材-603650 同属光刻胶配套材料第二梯队。
- 业务介绍：公司主业为光刻胶专用化学品 (光引发剂为主), 是全球干膜光刻胶引发剂出货第一的供应商, 服务 PCB/半导体后道封装, 2024-2025 年 PSPI (聚酰亚胺光敏树脂) 先进封装材料进入客户验证阶段, 是 AI 服务器 HDI/IC 载板光刻胶配套的关键上游材料厂商。
沪硅产业（688126） [A 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体材料 (大硅片) 环节, 国内 300mm 半导体硅片绝对龙头, 是 AI 芯片 (HBM/逻辑芯片) 上游晶圆衬底的国产化核心标的, 国内同行仅立昂微-605358 / 中环股份-002129 等少数。
- 业务介绍：公司主业为 300mm/200mm 半导体级硅片, 国内 12 寸大硅片出货 #1, 服务中芯国际/华虹/长存等晶圆厂, 是 AI 芯片+HBM 制造上游最关键的衬底材料供应商, 当前行业处于供过于求下行周期但国产替代逻辑不变。
清溢光电（688138） [A 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体材料 (掩膜版/Photomask) 环节, 国内掩膜版龙头, 是半导体光刻工艺核心耗材的国产化代表, 与路维光电-688676 同属国内掩膜版第一梯队 (前道半导体掩膜版国内仅这两家)。
- 业务介绍：公司主业为半导体掩膜版与平板显示掩膜版, 是国内为数不多具备 28nm 及以下半导体前道掩膜版供应能力的厂商, 服务中芯国际/华虹/京东方等, 是 AI 芯片国产化制造链上游光刻工艺不可缺的关键材料供应商。
露笑科技（002617） [B 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体材料 (SiC 衬底+蓝宝石) 环节, 国内 SiC 衬底布局厂商之一, 与天岳先进-688234 / 三安光电-600703 同属第三代半导体衬底赛道, 但产能与良率相对落后。
- 业务介绍：公司主业为漆包线+蓝宝石+SiC 衬底, 2022 年起切入 6 英寸 SiC 衬底量产, 服务功率器件 + 新能源车主驱模块, AIDC 800V HVDC 环节为潜在下游, 但主业仍受漆包线传统业务拖累, SiC 业务尚未规模化盈利。
闻泰科技（600745） [A 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体产业链中上游, 旗下安世半导体 (Nexperia) 是全球功率半导体/分立器件 IDM 龙头之一, 产品广泛用于汽车电子/工业/AI 服务器供电.
- 业务介绍：公司核心资产为安世半导体 (Nexperia 全球分立器件/逻辑芯片/MOSFET IDM 龙头), 产品广泛应用于汽车电子和数据中心电源, 是国内罕见的全球功率半导体 IDM 厂商.
三安光电（600703） [A 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 化合物半导体产业链中上游, 是国内 GaN/SiC 化合物半导体+Mini/Micro-LED 千亿级龙头, 在 SiC 衬底/外延/器件全产业链布局.
- 业务介绍：公司主业为 LED 芯片 (全球龙头) 与化合物半导体 (湖南三安 SiC/GaN), 是国内 GaN/SiC 化合物半导体最重要的全产业链厂商之一, 产品涉及 AI 服务器电源/新能源车/光通信.
茂莱光学（688502） [B 类]
- 产业链定位：处于 L2-02 半导体设备产业链中游, 主营精密光学元件与系统, 服务于半导体光刻/检测设备配套环节, 是国内精密光学元件细分供应商.
- 业务介绍：公司主业为精密光学元件/光学系统/光学模组, 主要应用于半导体设备/生物医疗/无人驾驶, 在半导体检测光学配套环节属于国内精密光学中小型厂商.

景气度判断

当前景气度（描述性） 信号源：北方华创中微公司安集科技财报及行业数据

景气度高。AI芯片需求拉动先进制程扩产，叠加国产替代加速，国内设备材料企业普遍订单饱满。北方华创2026年初股价创历史新高，机构预测新签订单增速超50%。中微公司通过收购CMP设备商向平台化迈进。安集科技全球份额持续扩张。主要风险是出口管制进一步升级可能阻断技术引进路径，以及估值偏高（北方华创PE>80倍）下业绩不达预期的回调风险。

风险提示

关键风险

出口管制升级：美国可能进一步收紧先进设备（EUV光刻机已全面禁运，DUV浸没式也面临管制压力）及关键材料（高端光刻胶、靶材）对华出口，直接限制国内先进制程产能扩张

技术差距与验证周期：国产设备在7nm以下节点尚未大规模量产验证，高端光刻胶国产化率<5%；客户验证周期长（通常1–3年），业绩爆发节奏难以精确预测；估值偏高（部分企业PE>100倍）下存在回调风险