半导体设备与材料
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
技术平台化拓展,从刻蚀向薄膜、量/检测等领域延伸 + 国内半导体设备市场渗透率提升是长期确定性趋势
国产化率提升驱动份额增长 + 平台化布局进入收获期
受益于先进制程工艺演进,单客户价值量提升 + 半导体设备国产化率从“低”到“中”的必经之路
半导体设备国产化率从个位数向20%+跨越 + 从清洗平台向湿法工艺平台拓展
高端刻蚀设备和薄膜设备付运量显著提升;CCP下一代90:1超高深宽比刻蚀设备进入客户验证;ICP取得140:1高深宽比刻蚀能力
影响:利好 下游存储/先进制程扩产→刻蚀+薄膜设备订单放量→平台化布局加速→国产半导体设备龙头地位强化
非经损益4.53亿元(出售拓荆科技股票)增厚利润,扣非增速60%更反映主业