存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
AI PC/AI手机渗透带动终端存储容量升级 + “模组+封测”一体化布局强化产业链地位
DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升
存储介质技术升级带来市场扩容 + 主控芯片自研构建核心竞争力
存储市场规模持续增长,国产化需求迫切 + 自研芯片能力构建,向技术型平台公司升级
CXL内存扩展控制器打开巨大市场空间 + 从芯片供应商向平台解决方案商转型
存储供需缺口预计延续至2027年,海外原厂毛利率普遍在70%以上,三星、美光、SK海力士大幅加码资本开支但位元产出有限。26Q2传统DRAM合约价预计环比+58~63%,NAND合约价预计环比+70~75%(TrendForce数据)。美光FY26资本开支上修至超250亿美元。AI推理瓶颈从纯算力转向内存层级架构,KV Cache扩容推动CSP与存储原厂签订跨年LTA锁量,AI服务器内存需求约为普通服务器的8-10倍。国内模组厂进入利润放量期,江波龙、德明利、佰维存储三家26Q1平均单月利润约10亿元。
影响:利好 因果链:AI推理瓶颈转向内存层级 → KV Cache扩容 + HBM4量产 → DRAM/NAND需求结构性增长 → 原厂供给优先满足CSP高价值订单(溢价50-60%) → 存储涨价周期延续至2027年 → 国内模组厂利润放量 + 利基厂商份额提升。 直接受益: • 江波龙-301308(模组龙头,直接受益NAND/DRAM涨价与库存增值) • 佰维存储-688525(嵌入式存储与模组,利润弹性大) • 德明利-001309(NAND模组与主控,利基市场替代加速) • 兆易创新-603986(NOR Flash与DRAM利基型,份额提升逻辑) • 澜起科技-688008(内存接口芯片,DDR5渗透率提升直接拉动) 需关注:现货价月环比跌30-40%不代表趋势逆转,合约价仍是景气度核心指标;地缘冲突可能扰动原材料供应。
现货价月环比跌幅30-40%不代表趋势逆转,合约价是景气度核心指标;供给紧张确定性较高,但需跟踪地缘冲突对原材料的扰动。