2026-05-20 银河证券：25Q4DRAM涨8-13 HBM挤压DDR4短缺

事件描述

中国银河证券研报指出，25Q4通用DRAM合约价预计环比上涨8-13%，含HBM的整体DRAM涨幅扩大至13-18%。三大原厂优先将产能分配给HBM和DDR5，大幅挤压DDR4等通用DRAM产能，导致DDR4供应严重短缺，渠道库存已降至低位。2027年HBM在DRAM市场总价值占比预计高达43%，AI服务器DRAM用量约为普通服务器8倍，NAND Flash用量约3倍，供需矛盾加剧。

关键数字

• 25Q4通用DRAM合约价预计环比上涨8-13%
• 含HBM的整体DRAM涨幅扩大至13-18%
• 2027年HBM在DRAM市场总价值占比预计高达43%
• AI服务器DRAM用量约为普通服务器8倍，NAND Flash用量约3倍

影响判断

影响：利好 HBM/DDR5产能挤占+DDR4供给刚性→通用DRAM结构性短缺→存储芯片价格持续上行→国内存储模组及利基型存储厂商量价齐升→国产替代加速推进。 直接受益：

• 兆易创新-603986：NOR Flash及利基型DRAM龙头，受益涨价周期弹性显著
• 澜起科技-688008：内存接口芯片龙头，DDR5渗透加速叠加存储涨价，业绩确定性高 未入KB待评估：无

信息源

• Token经济研究系列之电子行业篇：硬件是Token经济学下核心投资方向（中国银河证券）
• 研报与行业数据捕捉报告_DEEPSEEK_2026-05-20

备注

补强方向：关注原厂产能分配策略变化及终端需求持续性；存储涨价为电子行业核心景气度信号。KB关联：L2-07-存储HBM与DDR5与NAND；建议后续跟踪DDR5渗透率及HBM产能扩张对通用存储的挤压程度。