半导体设备与材料
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EML 高速激光器芯片国产化率<10%,被住友/三菱/Lumentum 垄断;CPO 量产时点决定下一代估值跃迁窗口
本细分核心瓶颈在于半导体级高纯钨钽锗粉体/靶材认证周期 18-36 个月 + 资源出口管制催化价格波动, 国产化卡在 5N-6N 纯度与纳米级粒径稳定量产
国内锗全产业链垂直一体化, 全球 25% 供给, 出口管制战略储备地位
全球锡冶炼第一 (22% 市占) + 铟镓锗稀有副产, 资源储备 + 一体化壁垒
中邮证券发布铟行业专题报告,测算2030年光模块用高纯铟需求有望达440.69吨,对应精铟需求占总需求比例由2026年的7.58%升至15.41%。2025年全球精铟消费量2316吨,预计2026年2510吨(+8.38%)、2027年2813吨(+12.07%)。全球磷化铟衬底供需缺口近70%,高景气可能延续至2028年。800G/1.6T高速光模块爆发,EML和APD全面采用磷化铟衬底,光模块领域铟需求从2026年的190吨精铟当量跃升至2030年的551吨,成为继ITO靶材后第二大需求极。
影响:利好 因果链:AI算力资本开支(2026年1.37万亿美元,+41.6%YoY) → 800G/1.6T光模块出货暴增 → 磷化铟衬底需求指数级增长 → 上游高纯铟(6N-7N)需求缺口放大 → 铟价持续走高。 直接受益:云南锗业-002428(国内铟资源龙头,拥有锗和铟产能)、锡业股份-000960(铟产量国内前列)。 未入 KB 待评估:株冶集团、中金岭南。
模型测算基于良率假设,实际需求需跟踪1.6T/3.2T渗透节奏及国产高纯铟良率突破进度。铟作为半导体小金属,建议跟踪磷化铟衬底相关产业链。