半导体设备与材料
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EML 高速激光器芯片国产化率<10%,被住友/三菱/Lumentum 垄断;CPO 量产时点决定下一代估值跃迁窗口
本细分核心瓶颈在于半导体级高纯钨钽锗粉体/靶材认证周期 18-36 个月 + 资源出口管制催化价格波动, 国产化卡在 5N-6N 纯度与纳米级粒径稳定量产
唯一覆盖 SiC 衬底→外延→器件→模块全链的 IDM,8 寸衬底及后端加工能力国内绝对领先,车规认证先发优势明显
国内锗全产业链垂直一体化, 全球 25% 供给, 出口管制战略储备地位
2025年全球磷化铟衬底需求约200-210万片(2英寸当量),有效合规产能仅60-70万片,供给缺口近70%。日本住友(约60%份额)、AXT北京通美(约35%)等合计垄断全球95%以上产能,扩产周期长达18-36个月,供需紧张预计延续至2028年。国内云南锗业15万片/年已量产,三安光电募资65亿元扩产,国产替代加速但短期增量有限。2025-2027年全球磷化铟衬底出货量CAGR 18.72%,2027年市场规模预计2.67亿美元。
影响:利好 光模块AI需求爆发 → 磷化铟衬底年需求增速18%+ → 海外巨头扩产缓慢(扩产周期18-36个月)→ 供需缺口维持至2028年 → 磷化铟/高纯铟价格持续高位。\n> 直接受益:云南锗业(002428)国内磷化铟衬底龙头,15万片/年已量产,缺口环境下业绩弹性大;三安光电(600703)募资65亿元切入化合物半导体扩产,有望深度参与国产替代。下游光模块旺盛需求与上游衬底供给刚性形成持续错配,关注出口管制政策对其进一步收紧供给的可能。
铟及磷化铟属于半导体小金属,已关联L2-25、L2-22及L2-02。建议持续跟踪出口管制政策动向及国内产能释放进度,特别是云南锗业和三安光电的扩产实际落地节奏。