半导体设备与材料
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EML 高速激光器芯片国产化率<10%,被住友/三菱/Lumentum 垄断;CPO 量产时点决定下一代估值跃迁窗口
本细分核心瓶颈在于半导体级高纯钨钽锗粉体/靶材认证周期 18-36 个月 + 资源出口管制催化价格波动, 国产化卡在 5N-6N 纯度与纳米级粒径稳定量产
全球锡冶炼第一 (22% 市占) + 铟镓锗稀有副产, 资源储备 + 一体化壁垒
国内原生铟产量持续收缩,2024年仅426吨、2025年441吨,远低于2023年的646吨。锌冶炼亏损与环保限产压制供给,再生铟提纯技术难度大、回收率低。AI拉动磷化铟衬底等需求,6英寸以上衬底需7N纯度以上高纯铟,扩产需真空蒸馏+区域熔炼多次提纯,设备高度定制且客户认证壁垒极高。国内仅先导稀材、株洲科能等少数企业可批量供应7N+产品,供应瓶颈突出;海外Dowa、Rasa主导高纯铟市场。
影响:利好 锌冶炼亏损限产 → 原生铟供给收缩 → AI拉动高纯铟增量需求 → 6N-7N高纯铟扩产壁垒高(设备定制+长认证周期) → 高纯铟溢价持续 → 拥有7N+产能的企业受益。 直接受益:
- 锡业股份-000960 (全球铟资源龙头,拥有原生和再生铟产能,受益高纯铟涨价) 未入KB待评估: 株冶集团、先导稀材、株洲科能
核心跟踪国内高纯铟扩产进度,尤其是株洲科能、先导稀材的7N+产能爬坡与客户认证动态;关联L2-25半导体小金属及下游光器件、衬底材料行业。