华为技术

2026-05-25
行业新闻 L2-02-半导体设备与材料 北方华创-002371中微公司-688012华海清科-688120拓荆科技-688072盛美上海-688082
利好

影响行业

1 个

半导体设备与材料

EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%

部分填充 L2 2026-06-10

相关公司

5 家

中微公司 688012

技术平台化拓展,从刻蚀向薄膜、量/检测等领域延伸 + 国内半导体设备市场渗透率提升是长期确定性趋势

L2-02 已完成 2026-05-30

北方华创 002371

国产化率提升驱动份额增长 + 平台化布局进入收获期

L2-02 已完成 2026-05-25

华海清科 688120

CMP 设备国内 #1(市占 >60%),12 寸 HBM 减薄机唯一国产,Versatile-GP300 累计出机 20+ 台

L2-02 已完成 2026-05-30

拓荆科技 688072

受益于先进制程工艺演进,单客户价值量提升 + 半导体设备国产化率从“低”到“中”的必经之路

L2-02 已完成 2026-05-25

盛美上海 688082

半导体设备国产化率从个位数向20%+跨越 + 从清洗平台向湿法工艺平台拓展

L2-02 已完成 2026-05-25

2026-05-25 华为技术 华为正式发表韬(τ)定律 重构后摩尔时代中国半导体演进路径

事件描述

2026-05-25 IEEE ISCAS 何庭波发表韬(τ)定律, 以时间缩微替代几何缩微, 通过逻辑折叠/3D 堆叠实现晶体管密度提升; 麒麟2026从155MTr/mm²跃至238MTr/mm²(+53.5%), 2031 年目标对标1.4nm 制程密度; 过去六年量产381款芯片

关键数字

  • 晶体管密度 155→238 MTr/mm² 单代 +53.5%
  • 2031 年对标 1.4nm 制程同等密度
  • 已量产 381 款自研芯片

影响判断

影响:利好 韬定律绕开 EUV 制程封锁→3D 堆叠+先进封装成为主路径→刻蚀/CMP/薄膜沉积/混合键合设备需求结构性提升, 中微/北方华创/华海清科/拓荆首先受益

关联

  • 行业:L2-02-半导体设备与材料
  • 公司:002371, 688012, 688120, 688072, 688082

信息源

备注

KB 行业页已记录为 last_catalyst, 路径在 2026-05-26-研报-华为正式发表韬(τ)定律:到2031年高阶芯片电晶体密度有望达传统