半导体设备与材料
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
技术平台化拓展,从刻蚀向薄膜、量/检测等领域延伸 + 国内半导体设备市场渗透率提升是长期确定性趋势
国产化率提升驱动份额增长 + 平台化布局进入收获期
CMP 设备国内 #1(市占 >60%),12 寸 HBM 减薄机唯一国产,Versatile-GP300 累计出机 20+ 台
受益于先进制程工艺演进,单客户价值量提升 + 半导体设备国产化率从“低”到“中”的必经之路
半导体设备国产化率从个位数向20%+跨越 + 从清洗平台向湿法工艺平台拓展
2026-05-25 IEEE ISCAS 何庭波发表韬(τ)定律, 以时间缩微替代几何缩微, 通过逻辑折叠/3D 堆叠实现晶体管密度提升; 麒麟2026从155MTr/mm²跃至238MTr/mm²(+53.5%), 2031 年目标对标1.4nm 制程密度; 过去六年量产381款芯片
影响:利好 韬定律绕开 EUV 制程封锁→3D 堆叠+先进封装成为主路径→刻蚀/CMP/薄膜沉积/混合键合设备需求结构性提升, 中微/北方华创/华海清科/拓荆首先受益
KB 行业页已记录为 last_catalyst, 路径在 2026-05-26-研报-华为正式发表韬(τ)定律:到2031年高阶芯片电晶体密度有望达传统