AIDC HVDC 触点
AgSnO2/AgWC 高端配方与 800V 直流灭弧工艺仍被 Umicore/Materion/Tanaka 主导, 银价占成本 40-60% 决定盈利弹性
AgSnO2/AgWC 高端配方与 800V 直流灭弧工艺仍被 Umicore/Materion/Tanaka 主导, 银价占成本 40-60% 决定盈利弹性
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
国元证券研报显示,全球GaN功率半导体市场规模预计从2025年的5.5亿美元提升至2030年的41.5亿美元,CAGR约49.8%。应用结构正从消费电子转向数据中心与汽车电子,其中数据中心占比预计升至37.3%(约15.5亿美元),取代智能手机成为最大单一市场,智能手机占比降至28.9%,汽车电子市场提升至5.5亿美元。
影响:利好 因果链:AI服务器功耗提升 → 800V HVDC架构渗透以降低损耗 → GaN在高压DC-DC/IBC环节的经济性显现 → 数据中心成为GaN最大应用市场 → 驱动整体市场CAGR达49.8%。 A股映射建议:当前A股GaN功率半导体产业链标的稀缺,直接上市公司以IDM和材料为主,但均未进入KB公司库。建议关注GaN外延、衬底及器件厂商,以及HVDC电源系统供应商。直接受益:英诺赛科(未上市)、Navitas(NVTS.O)为行业龙头,但未入KB待评估。未入KB待评估:英诺赛科、Navitas。GaN电源模块在AI服务器中的渗透率目前仍低,需跟踪成本下降斜率与客户导入节奏,一旦量产突破将形成主题催化。
关注GaN在HVDC电源方案中的实际出货量数。建议跟踪L2-02-半导体设备与材料中的第三代半导体衬底、外延环节,未来若出现A股龙头可纳入。行业KB暂无GaN专类,可考虑新增“宽禁带半导体”或并入L2-02子类。