存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
AI PC/AI手机渗透带动终端存储容量升级 + “模组+封测”一体化布局强化产业链地位
DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升
存储介质技术升级带来市场扩容 + 主控芯片自研构建核心竞争力
存储市场规模持续增长,国产化需求迫切 + 自研芯片能力构建,向技术型平台公司升级
CXL内存扩展控制器打开巨大市场空间 + 从芯片供应商向平台解决方案商转型
存储下游需求结构发生根本性转变,服务器在DRAM中占比提升至50%-60%,在NAND中占比达40%,取代手机和PC成为第一大需求来源。2026年DRAM供给缺口约8%(约4EB),NAND缺口约6%(约70EB)。北美CSP厂商纷纷与原厂签订3-5年长约,2026年合约价全年上涨,2027年至少维持高位。原厂产能向HBM和1c DRAM转移,进一步挤压标准品供给,供需紧张格局预计持续至2028年。
影响:利好
因果链:AI推理需求爆发 → 服务器成为存储最大下游 → 原厂产能向HBM/1c DRAM等高附加值产品倾斜,挤占标准品产能 → 长约锁定与供给缺口扩大 → 存储周期能见度拉长至2028年 → 存储产业链盈利稳定性与估值中枢上移。
直接受益:德明利-001309(存储模组直接受益于量价齐升),江波龙-301308(存储品牌与模组龙头),佰维存储-688525(存储器国产化主力),兆易创新-603986(NOR Flash与DRAM芯片),澜起科技-688008(内存接口芯片与DDR5渗透)。
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存储周期逻辑由“消费电子库存博弈”切换至“AI算力基建刚性需求”,周期股估值体系面临重塑,建议跟踪季度合约价涨幅边际变化。