存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
AI服务器毛利率极薄(浪潮信息毛利率仅4.91%);GPU供应链基本由NVIDIA主导;国产服务器整机在高端AI训练机架(GB200 NVL72/GB300)上主要由台湾ODM(工业富联、广达)承接
AI PC/AI手机渗透带动终端存储容量升级 + “模组+封测”一体化布局强化产业链地位
DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升
存储介质技术升级带来市场扩容 + 主控芯片自研构建核心竞争力
存储市场规模持续增长,国产化需求迫切 + 自研芯片能力构建,向技术型平台公司升级
CXL内存扩展控制器打开巨大市场空间 + 从芯片供应商向平台解决方案商转型
中泰证券指出,存储下游需求结构发生根本转变:服务器(含HBM)在DRAM中的需求占比预计提升至50%-60%,手机+PC占比降至40%以下。2026年DRAM供需缺口率达8%(约4EB),NAND缺口率达6%(约70EB)。北美CSP厂商已与原厂签订3-5年长约,2026年合约价全年上涨,2027年将保持高位。原厂产能向HBM及1c DRAM等高附加值产品转移,挤占其他存储产能,供不应求格局延续。
影响:利好 因果链:AI推理需求爆发 → 服务器成存储最大下游 → 产能挤占与长约锁定 → 存储周期能见度大幅拉长(至2028年) → 存储产业链盈利稳定性提升、估值中枢有望上移。直接受益:德明利-001309(存储模组与主控芯片)、江波龙-301308(存储模组与品牌)、佰维存储-688525(存储模组与封测)、兆易创新-603986(DRAM/NAND/NOR芯片)、澜起科技-688008(内存接口与互联芯片)。存储周期从消费电子库存博弈切换至AI算力刚性需求,估值体系有望重塑,建议关注AI服务器存储模组及接口芯片环节。
存储周期逻辑由消费电子库存博弈切换至AI算力刚性需求,估值体系面临重塑。建议跟踪季度合约价涨幅边际变化,后续可补充合约价数据及CSP资本开支验证。