半导体设备与材料
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
本细分核心瓶颈在于半导体级高纯钨钽锗粉体/靶材认证周期 18-36 个月 + 资源出口管制催化价格波动, 国产化卡在 5N-6N 纯度与纳米级粒径稳定量产
国内锌冶炼伴生铟产能龙头之一,金属铟全流程回收率高,综合回收成本优势显著,具备向半导体铟基材料延伸的冶炼-提纯一体化基因。
全球锡冶炼第一 (22% 市占) + 铟镓锗稀有副产, 资源储备 + 一体化壁垒
2024年国内原生铟产量426吨,2025年441吨,较2023年的646吨大幅收缩,锌冶炼亏损与环保限产导致原生铟供给持续走弱。高纯铟(6N-7N)扩产壁垒极高,6英寸以上磷化铟衬底需7N以上纯度,杂质含量要求≤5ppb,须经真空蒸馏及区域熔炼多次提纯,设备高度定制、客户认证周期长。中国精铟产量占全球逾70%,但高纯铟技术仍落后,海外Dowa与Rasa主导供应链,国内仅先导稀材、株洲科能等少数企业可批量供应7N+产品,成为AI与光通信材料链的瓶颈环节。
影响:利好 锌冶炼亏损与环保限产 → 原生铟供给持续收缩 → AI与光通信拉动高纯铟(6N-7N)增量需求 → 扩产受定制设备、长认证周期制约,供给弹性极低 → 高纯铟溢价持续走阔 → 拥有7N+量产能力的企业掌握稀缺定价权。 直接受益:株冶集团-600961(国内原生铟龙头,具有高纯铟提纯产线布局),锡业股份-000960(拥有铟资源储备,受益于铟价上行)。 未入KB待评估:先导稀材、株洲科能。A股映射建议:围绕磷化铟衬底需求增长,关注小金属板块及具备高纯铟技术积累的标的,同时跟踪国内扩产进度以判断供给缺口持续时间。
补强方向:持续跟踪国内高纯铟扩产进度,尤其是株洲科能、先导稀材的产能爬坡与客户导入。KB关联:L2-25-半导体小金属可与L2-22-光器件与光芯片(磷化铟衬底需求)联动,若铟价异动建议同步评估光芯片成本影响。