变压器
AI数据中心高功率机柜推动配电升级，变压器受铜价、交付周期、直流供电标准和海外电网投资共同约束
2026-05-26 东北证券：800VDC AI工厂与SST驱动SiC进数据中心
事件描述
东北证券指出，NVIDIA提出800VDC AI工厂供电架构，端到端效率提升最高约5%，TCO最高下降30%。核心方案为SST固态变压器，直接将13.8-35kVAC中压转为800VDC输出，集成电压调节、隔离与储能接口。SiC是SST可工程化的关键半导体基础，Wolfspeed数据显示800VDC母线需1200V SiC MOSFET，转换损耗可降25%-40%。2025年数据中心扩建或导致近30%变压器供给缺口，SST可缩短电力接入周期，驱动SiC需求从车规主驱逆变器拓展至中压模块体系。
关键数字
- NVIDIA 800VDC架构端到端效率提升最高约5%，TCO最高下降30%
- 800VDC母线需1200V SiC MOSFET，转换损耗可降25%-40%
- 2025年数据中心扩建或导致近30%变压器供给缺口
影响判断
影响：利好 AI数据中心电力密度跃升带来传统变压器交付瓶颈 → SST固态变压器以其高频功率变换、缩短接入周期等优势加速渗透 → 中高压SiC MOSFET需求打开，成为碳化硅衬底新增长极 → 利好SiC材料与数据中心供电产业链。直接受益：天岳先进（688234），全球碳化硅衬底龙头，将充分受益于数据中心SST带来的中高压SiC增量需求。需持续跟踪SST从示范到规模化的进度及中压SiC器件验证进展。
信息源
- 东北证券研报《天岳先进(688234)全球碳化硅衬底龙头，充分受益市场新需求》
备注
AI基础设施供电架构变革带来增量场景，SiC在数据中心应用从HVDC向SST延伸；需跟踪SST规模化进度及中压SiC器件验证进展。建议跟踪碳化硅专用行业。