东北证券

2026-05-26
研报 L1-04-变压器L2-02-半导体设备与材料L3-05-IDC工程EPC 天岳先进-688234
利好

影响行业

3 个

变压器

AI数据中心高功率机柜推动配电升级,变压器受铜价、交付周期、直流供电标准和海外电网投资共同约束

部分填充 L1 2026-05-29

半导体设备与材料

EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%

部分填充 L2 2026-06-10

IDC工程EPC

资质 + 工程经验 + 与运营商/政府关系

已完成 L3 2026-06-09

相关公司

1 家

天岳先进 688234

国内 SiC 衬底国产化第一 + 8 英寸先发优势, Wolfspeed 破产腾出全球份额历史窗口

L2-02 已完成 2026-05-26

2026-05-26 东北证券:AI工厂800V架构 SST驱动SiC供电

事件描述

NVIDIA提出800VDC AI工厂供电架构,端到端效率提升最高约5%,TCO最高下降30%。采用SST固态变压器,将13.8-35kV中压交流直接转为800VDC输出,集成电压调节、隔离、储能接口等功能。SST基于SiC器件实现高频开关和低损耗,Wolfspeed指出800VDC母线需1200V SiC MOSFET,转换损耗可降25%-40%。2025年数据中心扩建致近30%变压器供给缺口,SST可缩短电力接入周期。

关键数字

  • NVIDIA 800VDC架构端到端效率提升最高约5%,TCO最高下降30%
  • Wolfspeed: 800VDC母线需1200V SiC MOSFET,转换损耗可降25%-40%
  • 2025年数据中心扩建或导致近30%变压器供给缺口,SST可缩短电力接入周期

影响判断

影响:利好 因果链:AI数据中心电力密度攀升→传统工频变压器交付瓶颈(2025年缺口近30%)→SST固态变压器渗透→中高压1200V SiC MOSFET需求打开→碳化硅衬底市场扩容。直接受益:天岳先进-688234(全球碳化硅衬底龙头,导电型衬底可用于中高压SiC器件,受益于数据中心新应用)。建议关注中压SiC模块与SST系统集成商,但相关A股标的暂未覆盖。

信息源

  • 东北证券《天岳先进(688234)全球碳化硅衬底龙头,充分受益市场新需求》
  • NVIDIA AI工厂供电架构白皮书
  • Wolfspeed功率器件应用数据

备注

AI基础设施供电架构变革带来SiC增量场景,从HVDC向SST延伸。建议跟踪碳化硅SiC行业(无直接KB行业,暂用L2-02-半导体设备与材料),以及SST规模化进度与中压SiC器件验证进展。