存储HBM与DDR5与NAND
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
HBM供给卡在DRAM原厂良率、TSV/混合键合和CoWoS先进封装产能;DDR5与企业级NAND/SSD供给紧张共同决定AI服务器数据吞吐底座,国产DRAM与NAND份额仍低
DRAM产品线突破打开第二增长曲线 + 2028年,DRAM产品线营收占比有望从当前较低水平提升至20%-30%
DRAM项目量产突破打开成长天花板 + 汽车电子与AIoT渗透率提升
智能驾驶与座舱芯片的长期需求 + DRAM国产替代的核心标的
技术迭代与产品矩阵完善 + 智能卡芯片国产替代深化
从“分销”到“产品+解决方案”,业务价值链向上延伸 + 绑定全球AI算力龙头,卡位核心赛道
5月27日上交所上市委审议通过长鑫科技 IPO,拟募资 295 亿元,仅次于中芯国际(532亿),为科创板史上第二大、2026 年 A 股最大 IPO。2026Q1 营收 508 亿元同比+719%,归母净利 247.62 亿元,预计 2026H1 营收 1100-1200 亿元、归母净利 500-570 亿元。公司为中国第一、全球第四大 DRAM 厂,2025Q4 全球份额 7.67%。
影响:利好 国产 DRAM 龙头登陆资本市场→产业链估值锚抬升+扩产融资能力强化,直接利好兆易创新(持股)、香农芯创、聚辰股份等供应链与 DDR5 配套芯片厂
兆易创新为长鑫科技股东之一,直接受益估值重估;过会后正式发行+挂牌时点为下一关键催化