2026-06-08 国元证券测算：服务器GaN市场空间2028年达12.7亿美元

事件描述

国元证券发布GaN功率半导体行业报告，测算服务器GaN市场总空间(TAM)从2024年约3.0亿美元提升至2028年约12.7亿美元，其中IBC部分增长最快，从1.0亿美元增至7.3亿美元。AI服务器电源架构向800V HVDC演进，PSU功率由3kW升至8/12kW，单台GaN用量从4颗翻倍至8颗以上；IBC方案从两相升级至四相，单模块GaN用量也翻倍至8颗。测算模型基于DC-DC模块8kW与IBC模块2kW的N+1冗余配置。

关键数字

• 服务器GaN TAM：2024年约3.0亿美元 → 2028年约12.7亿美元（IBC从1.0亿增至7.3亿美元）
• AI服务器PSU功率：3kW→8/12kW，单台GaN芯片用量从4颗增至8颗，12kW方案二级侧可额外增加96颗100V GaN
• IBC方案：两相→四相，以TI方案为例，单模块GaN用量从4颗翻倍至8颗

影响判断

影响：利好 因果链：AI服务器单机功率倍增（9kW→20kW）→供电架构升级800V HVDC→PSU向8kW/12kW演进→单PSU GaN芯片用量翻倍至8颗以上→同时IBC升级推高GaN用量→服务器级GaN价值量跃升→TAM扩张至12.7亿美元。A股映射建议：目前A股尚无直接进入KB的GaN功率器件核心标的；海外直接受益方包括英飞凌、Navitas、德州仪器。国内可关注士兰微、三安光电等GaN器件布局企业，但渗透节奏取决于GaN在中低压场景与硅基MOSFET的成本竞争力。未入KB待评估: 英飞凌(IFX.DF), Navitas(NVTS.O), 德州仪器(TXN.O), 士兰微(600460), 三安光电(600703)。

信息源

• 应用场景加速拓展，数据中心与汽车电子贡献增量—GaN功率半导体行业报告（国元证券）

备注

估算基于TAM，实际出货仍处早期；12kW方案中96颗低压GaN面临硅基MOSFET竞争，渗透不确定性高。建议跟踪HVDC供电架构渗透率及国内GaN器件厂商进展。