半导体设备与材料
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
EUV光刻机由ASML垄断,高端光刻胶被日本JSR/TOK/信越控制,设备整体国产化率仅13.6%
L3/L4量产法规落地与高精地图商业化
工业自动化国产替代空间巨大 + 新能源汽车电驱系统成为第二增长极
国元证券在GaN功率半导体行业报告中指出,全球新能源车OBC GaN市场空间预计由2025年约1400万美元提升至2030年约3.3亿美元,渗透率由2%提升至20%;汽车DC-DC GaN市场由约550万美元升至约1.6亿美元,渗透率由2%升至18%。相较硅方案,GaN可使OBC功率密度提升约15%,PFC频率提升约80%,DC-DC频率提升2-3倍,显著缩减磁件与散热体积。随着OBC向11/22kW升级及双向化、自动驾驶驱动48V低压架构,车规GaN新增量集中于HV-LV DC-DC与48V-12V环节。
影响:利好 OBC功率升级与双向化→效率与散热压力增大→GaN高频低损优势替代Si/SiC加速→OBC GaN渗透率从2%跃升至20%,单车GaN价值量显著提升;同时自动驾驶48V低压架构→HV-LV DC-DC与48V-12V环节带来增量,GaN车用复合增速可观。汽车电子GaN市场从约2000万美元扩至近5亿美元量级,拐点明确。直接受益:汇川技术-300124(国内汽车电驱与电源头部Tier-1,车规功率模块与系统集成有望放量)。未入KB待评估:英诺赛科、Navitas。
车规GaN晶圆代工与器件环节尚缺KB标的,建议跟踪补充。主驱逆变器短期内仍由SiC主导,GaN渗透核心变量为OEM验证周期及与汇川等Tier-1的合作深度。