L2 芯片与硬件

先进封装

当前核心信号:通富微电2025年1月定增44亿元用于存储先进封装(HBM封装突破)和HPC封装产能扩建

一句话判断

先进封装 是 L2 芯片与硬件中连接上游供给、产业约束和下游 AI 需求的关键环节,当前主要观察 CoWoS产能紧张(台积电2024年产能7万片/月→2026年12.5万片/月,英伟达独占63%产能);高端封装材料国产化率低(EMC全球前三日韩占75%,ABF基板味之素/台湾垄断95%)。

关键瓶颈 CoWoS产能紧张(台积电2024年产能7万片/月→2026年12.5万片/月,英伟达独占63%产能);高端封装材料国产化率低(EMC全球前三日韩占75%,ABF基板味之素/台湾垄断95%)
代表公司 13 家
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核心约束

先看卡点
CoWoS产能紧张(台积电2024年产能7万片/月→2026年12.5万片/月,英伟达独占63%产能);高端封装材料国产化率低(EMC全球前三日韩占75%,ABF基板味之素/台湾垄断95%)

通富微电2025年1月定增44亿元用于存储先进封装(HBM封装突破)和HPC封装产能扩建 · 2026-06-06

代表公司

13 家
台积电 2330

技术领先优势持续巩固 + 全球产能战略布局深化

TW L2-06
日月光 3711

封装技术代际升级带来价值量提升 + 全球化产能布局强化供应链韧性

TW L2-06
兴森科技 002436

IC载板国产替代核心受益标的 + AI驱动先进封装需求

SZ L2-06
华天科技 002185

国内 OSAT 第三、CIS TSV 封装全球 #3(市占 15%),先进封装占比持续提升

SZ L2-06
华海诚科 688535

国产替代的核心受益标的 + 绑定先进封装技术升级

SH L2-06
德邦科技 688035

高端电子封装材料国产替代空间巨大 + 横向拓展打开成长天花板

SH L2-06
新益昌 688383

半导体设备国产替代深化 + 业务多元化平滑周期波动

SH L2-06
晶方科技 603005

国内稀缺 CIS WLP+TSV+车规级 12 寸晶圆三合一封装能力 + 极低负债财务体质;TSV 是与 CoWoS 同源的先进封装技术,有跨界 HPC 潜力。

SH L2-06
沃格光电 603773

A 股唯一 TGV 玻璃基板布局, 与下一代先进封装路线绑定, 但量产兑现尚远

SH L2-06
甬矽电子 688362

国内中端先进封装第二梯队 (BGA/WLP/FCBGA), 享受国内 AI 芯片量产外溢订单

SH L2-06
罗博特科 300757

ficonTEC 全球 CPO/硅光封装设备少数玩家 + 在手订单 23 亿 (NVDA/TSMC/中际预付款)

SZ L2-06
通富微电 002156

Chiplet与先进封装成为公司核心增长引擎 + 国产化替代背景下,绑定头部设计公司

SZ L2-06
长电科技 600584

Chiplet与先进封装技术成为算力时代核心 + 汽车电子与存储封装开辟第二增长曲线

SH L2-06

近期催化

22 条

研究笔记

来自 Obsidian

先进封装

先进封装产业视觉图

关键信息摘要

Key Highlights

  • 全球先进封装2024年471亿美元(占整体封装47.3%),2025年预计503.8亿美元,2032年798.5亿美元(CAGR 6.8%);HPC/AI细分2024年158亿美元,CAGR 18.2%
  • 台积电CoWoS垄断高端AI封装(英伟达独占产能63%),产能路径:2024年7万片/月→2026年12.5万片/月→2028年15万片/月;H100封装成本约1,200美元/片,Blackwell预计达2,000美元/片
  • 国内三巨头:长电科技(全球OSAT第三,先进封装占比60%,已封装华为昇腾910B)、通富微电(AMD持股7.4%,2025年完成国产HBM3封装突破)、华天科技(CIS TSV领域全球市占15%);封装材料:华海诚科(收购衡所华威,EMC市占提升至20%)

行业定义与边界

先进封装(Advanced Packaging)是后摩尔时代通过封装层实现性能突破的核心技术,包括:

  • 2.5D封装(CoWoS系列):硅中介层实现多芯片高密度互联(50μm微凸点,带宽提升10–100倍)
  • 3D封装(TSV/Hybrid Bonding):通过硅通孔实现垂直堆叠;HBM由8–12层DRAM通过TSV堆叠实现
  • 扇出型封装(FOWLP/FOPLP):方形基板路线,成本比CoWoS低30%,良率仍有挑战
  • 系统级封装(SiP):异构集成逻辑+存储+天线等多种芯片于单一封装

CoWoS-L技术通过超大中介层(>3,000mm²)支撑NVIDIA Blackwell双芯片架构(2,080亿晶体管),是当前高端AI芯片封装的核心技术卡口。

市场规模与增长

  • 全球先进封装:2024年471亿美元(占封装总市场47.3%) → 2026年超50%占比(历史首次超越传统封装)
  • HPC/AI细分:2024年158亿美元(占33.5%),CAGR 18.2%(最快细分)
  • HBM封装:2024年42亿美元 → 2026年预计>80亿美元
  • 中国市场:2025年预计>1,100亿元人民币,占全球23%;高端(>100美元单价)产品占比<15%
  • 封装单机价值量提升:H100封装$1,200 → Blackwell预计$2,000

技术演进路线

技术路线
阶段 01
EDA工具 (2010s-)

Cadence(CDNS)/Synopsys(SNPS) · 2.5D/3D IC设计套件

关键材料

ABF基板 (Ibiden) · 硅中介层 (台积电/联发科)

扇出型FOWLP (2016)

InFO 台积电(TSM) · 苹果(AAPL) A10处理器

阶段 02
传统封装 (至2010s)

BGA/QFN/FC · OSAT: ASE(ASX), Amkor(AMKR)

面板级FOPLP (2020)

三星(005930.KS)/长电(JCET) XDFOI · 成本较FOWLP降30%

阶段 03
2.5D封装 (2015)

CoWoS-S 台积电(TSM) · 中介层~800mm²

移动/桌面SoC

苹果(AAPL) A/M系列 · 高通(QCOM) Snapdragon

阶段 04
超大2.5D封装 (2023)

CoWoS-L 台积电(TSM) · 中介层>3000mm²

阶段 05
3D Hybrid Bonding (2025+)

SoIC 台积电(TSM) · 0.5μm铜对铜键合

阶段 06
HPC/AI加速器 (2024)

Nvidia(NVDA) B200 · AMD(MI300X)

Chiplet生态 (2023+)

UCIe 1.1标准 · 异构集成主流

原始图谱
flowchart LR
  subgraph 材料端
    A1["EDA工具 (2010s-) <br/>Cadence(CDNS)/Synopsys(SNPS)<br/>2.5D/3D IC设计套件"]
    A2["关键材料<br/>ABF基板 (Ibiden)<br/>硅中介层 (台积电/联发科)"]
  end
  subgraph 封装制造
    B1["传统封装 (至2010s)<br/>BGA/QFN/FC<br/>OSAT: ASE(ASX), Amkor(AMKR)"]
    B2["2.5D封装 (2015) <br/>CoWoS-S 台积电(TSM)<br/>中介层~800mm²<br/>搭载HBM (SK海力士)"]
    B3["超大2.5D封装 (2023) <br/>CoWoS-L 台积电(TSM)<br/>中介层>3000mm²<br/>Nvidia(NVDA) Blackwell"]
    B4["3D Hybrid Bonding (2025+) <br/>SoIC 台积电(TSM)<br/>0.5μm铜对铜键合<br/>互连密度10x vs. microbump"]
    B5["扇出型FOWLP (2016) <br/>InFO 台积电(TSM)<br/>苹果(AAPL) A10处理器"]
    B6["面板级FOPLP (2020) <br/>三星(005930.KS)/长电(JCET) XDFOI<br/>成本较FOWLP降30%"]
  end
  subgraph 系统与应用
    C1["HPC/AI加速器 (2024) <br/>Nvidia(NVDA) B200<br/>AMD(MI300X)"]
    C2["移动/桌面SoC<br/>苹果(AAPL) A/M系列<br/>高通(QCOM) Snapdragon"]
    C3["Chiplet生态 (2023+) <br/>UCIe 1.1标准<br/>异构集成主流<br/>EDA支持:Cadence/Synopsys"]
  end

  A1 --> B2
  A2 --> B1
  B1 --> B2
  B2 --> B3 --> B4
  B5 --> B6
  B4 --> C1
  B6 --> C2
  B4 --> C3
  B6 --> C3

先进封装技术正沿着 从平面互联到立体堆叠 的主线快速迭代。2010年代中期 以前,行业以 ASE (ASX) 与 Amkor (AMKR) 主导的 BGA/FC 传统封装为主,技术壁垒低、价值分配分散。2015年成为一个关键拐点,台积电 (TSM) 推出 CoWoS-S 2.5D 封装,首次以约 800mm² 的硅中介层实现 GPU 与 HBM 的高密度互联,EDA 工具也随之向 2.5D/3D IC 设计套件升级,直接催生了苹果 A10 处理器的 InFO 扇出型封装 (FOWLP) 方案,推动先进封装与高端制程深度绑定。

2023年起进入代际跃迁加速期,台积电 CoWoS-L 将中介层面积放大至超过 3,000mm²,直接支撑了 NVIDIA (NVDA) Blackwell 架构的 2,080 亿晶体管双芯片互联,单机封装价值量突破 2,000 美元。与此同时,技术路线正从微凸点互联向 3D Hybrid Bonding 跃进,SoIC 方案以 0.5μm 铜对铜键合实现较微凸点 10 倍的互连密度提升,成为 HPC/AI 加速器与 Chiplet 生态的核心底座。成本侧,以三星 (005930.KS) 与长电科技 (JCET) XDFOI 为代表的 FOPLP 面板级方案,凭借较 FOWLP 降低 30% 的成本优势,正在移动 SoC 与 Chiplet 异构集成领域开辟第二赛道。

产业价值链结构

价值链
上游 封装基板与材料

ABF基板 味之素/欣兴垄断95% · Low-α硅微粉 联瑞新材688300.SH国内龙一

中游 封装设备

TSV钻孔机 应用材料/Lam占90% · 固晶机 ASMPT/新益昌688383.SH

下游 先进封装制造

OSAT & Foundry高端封装 · 长电科技600584.SH全球第三

下游 AI芯片与HBM模组

NVIDIA Blackwell+HBM3e · 华为昇腾910C

终端 智算中心/服务器整机

百度昆仑芯/阿里含光/字节跳动 · 2026年国内采购额+65%

原始图谱
flowchart LR
  subgraph 材料与设备
    A[封装基板与材料<br/>ABF基板 味之素/欣兴垄断95%<br/>Low-α硅微粉 联瑞新材688300.SH国内龙一<br/>2025年产能7万吨]
    B[封装设备<br/>TSV钻孔机 应用材料/Lam占90%<br/>固晶机 ASMPT/新益昌688383.SH<br/>国产化率<15% 2026年进口额flowchart LR
  subgraph 材料与设备
    A[封装基板与材料<br/>ABF基板 味之素/欣兴垄断95%<br/>Low-α硅微粉 联瑞新材688300.SH国内龙一<br/>2025年产能7万吨]
    B[封装设备<br/>TSV钻孔机 应用材料/Lam占90%<br/>固晶机 ASMPT/新益昌688383.SH<br/>国产化率<15% 2026年进口额$18亿]
  end
  A --> C[先进封装制造<br/>OSAT & Foundry高端封装<br/>长电科技600584.SH全球第三<br/>通富微电002156.SZ绑定AMD<br/>华天科技002185.SZ CIS TSV全球15%<br/>台积电2330.TW CoWoS/InFO占70%<br/>2026年CoWoS-L产能12.5万片/月<br/>单片封装成本$2000]
  B --> C
  C --> D[AI芯片与HBM模组<br/>NVIDIA Blackwell+HBM3e<br/>华为昇腾910C<br/>2025年全球出货量180万颗]
  D --> E[智算中心/服务器整机<br/>百度昆仑芯/阿里含光/字节跳动<br/>2026年国内采购额+65%<br/>先进封装价值占比提升至30%]
8亿]
  end
  A --> C[先进封装制造<br/>OSAT & Foundry高端封装<br/>长电科技600584.SH全球第三<br/>通富微电002156.SZ绑定AMD<br/>华天科技002185.SZ CIS TSV全球15%<br/>台积电2330.TW CoWoS/InFO占70%<br/>2026年CoWoS-L产能12.5万片/月<br/>单片封装成本$2000]
  B --> C
  C --> D[AI芯片与HBM模组<br/>NVIDIA Blackwell+HBM3e<br/>华为昇腾910C<br/>2025年全球出货量180万颗]
  D --> E[智算中心/服务器整机<br/>百度昆仑芯/阿里含光/字节跳动<br/>2026年国内采购额+65%<br/>先进封装价值占比提升至30%]

产业链价值分布与核心节点

  • 上游材料(毛利率35-55%):ABF基板仍由日系(味之素)和台湾欣兴等垄断95%产能,单颗GPU基板成本约200美元。国内替代力量为生益科技(600183.SH)的BT基板和华海诚科(688535.SH)的EMC(收购衡所华威后市占率提升至20%,HBM用EMC通过SK海力士认证)。联瑞新材(300188.SH)的Low-α球形硅微粉是HBM防位翻转必需材料,2024年营收9.6亿元(+35%),2026年产能翻倍至7万吨。
  • 封装设备(国产化率<15%):TSV深硅刻蚀设备、RDL光刻机、晶圆减薄机90%以上依赖应用材料、Lam Research、迪斯科等日美厂商。国内新益昌(688383.SH)固晶机已进入长电科技供应链,罗博特科(300757.SZ)的硅光耦合封装设备取得突破。2025年中国先进封装设备进口额约22亿美元,同比增长28%。
  • 中游OSAT(龙头净利率8-15%):长电科技(600584.SH) XDFOI平台承接华为昇腾90%订单,2024年营收320亿元;通富微电(002156.SZ)绑定AMD,完成国产HBM3封装,2025年定增44亿元扩产;华天科技CIS TSV封装全球市占15%,车载业务同比增长55%。三家企业合计占国内先进封装市场45%。
  • 下游AI系统:单颗Blackwell GPU封装价值约2,000美元,占整机成本已从传统封装的5%提升至25-30%,成为算力供应链第二大卡口(仅次于光刻)。最新催化:2026年5月华为发布韬(τ)定律后,国产封装板块单周上涨12%,长电科技总市值突破1,200亿元。

重点公司

本土龙头

  • 长电科技(600584.SH — 全球OSAT第三,中国大陆封测龙头;2024年营收约320亿元(+28%),先进封装占比60%;XDFOI平台(对标CoWoS)已封装华为昇腾910B,承接90%昇腾封装订单;具备5nm Chiplet封装能力;2024年定增30亿元扩建XDFOI产能
  • 通富微电(002156.SZ — AMD持股7.4%深度绑定,全球OSAT第四;2024年营收约160亿元(+32%),先进封装占比55%;AMD EPYC/MI300系列GPU封装;2025年完成国产HBM3封装技术突破(为长鑫存储量产,良率>95%);2025年定增44亿元扩产
  • 华天科技(002185.SZ — 全球OSAT第五,中国第三;CIS传感器TSV封装全球市占15%(仅次于索尼、三星);车载CIS封装业务2024年+55%;先进封装占比45%,低于前两者
  • 华海诚科(688535.SH — 国内EMC(环氧塑封料)龙头,国内市占15%,全球约3%;2025年收购衡所华威(市占提升至20%);HBM用EMC通过SK海力士验证;FC底填胶多款通过长电科技验证
  • 联瑞新材(688300.SH — Low-α球形硅微粉龙头(HBM封装必需材料,放射性<1ppb防止HBM位翻转);2024年营收9.6亿元(+35%),净利率26%,毛利率52%;2024年产能3.5万吨→2026年7万吨

海外对标

  • 台积电(2330.TW — CoWoS高端AI封装70%份额;产能2024年7万片/月→2026年12.5万片/月→2028年15万片/月;2025年封装资本开支占总资本开支15%(从8%提升);客户:NVIDIA(63%)、AMD(15%)、Broadcom/Google/AWS(17%)
  • 日月光(3711.TW — OSAT绝对龙头(全球OSAT市占27%,是第二名安靠的1.8倍),VIPack技术对标CoWoS,但客户接受度低;SiP/AiP 5G毫米波市占65%

未升格公司清单

留作行业全景参考,未单独建 note。出现重大催化时考虑升格。

  • 华岭股份(920139.BJ,已在北交所上市;集成电路第三方测试龙头,国内规模最大的独立 IC 测试机构之一)

景气度判断

当前景气度(描述性) 信号源:长电科技 通富微电 华天科技 财报;Yole Intelligence数据

景气度高。AI芯片封装需求强劲,国内厂商定增扩产积极。长电科技2024年扭亏为盈(净利润+85%),通富微电净利润+120%。国内首个HBM3封装技术突破(通富微电×长鑫存储)是重要里程碑。风险:高端基板(ABF)和核心设备(TSV钻孔机、RDL光刻机)仍依赖进口;CoWoS-L产能已被台积电和NVIDIA锁定,国内厂商在最高端产品上仍有1–2代差距。

风险提示

关键风险

  • 材料设备依赖:ABF基板(日本味之素发明,台湾厂垄断95%)、高端EMC(日韩占全球75%)、TSV钻孔机/RDL光刻机均高度依赖进口;美国出口管制可能影响先进封装设备获取
  • 台积电产能锁定+技术差距:台积电CoWoS产能被NVIDIA深度锁定(63%独占),中国大陆厂商在CoWoS-L/Hybrid Bonding等最高端技术上仍有1–2代差距,良率和成本控制需持续优化